Si570/Si571
Table 11. Programming Constraints and Timing
(V DD = 3.3 V ±10%, T A = –40 to 85 oC)
Parameter
Symbol
Test Condition
HS_DIV x N1 > = 6
HS_DIV x N1 = 5
Min
10
970
Typ
Max
945
1134
Unit
MHz
MHz
Output Frequency Range
CKO F
N1 = 1
HS_DIV = 4
1.2125
1.4175
GHz
N1 = 1
Frequency Reprogramming
M RES
114.285 MHz
0.09
ppb
Resolution
Internal Oscillator Frequency
f OSC
4850
5670
MHz
Internal Crystal Frequency
f XTAL
Maximum variation is
114.285
MHz
Accuracy
±2000 ppm
Delta Frequency for
From center frequency
–3500
+3500
ppm
Continuous Output
Unfreeze to NewFreq
Timeout
10
ms
Settling Time for Small
<±3500 ppm from
100
μs
Frequency Change
center frequency
Settling Time for Large
>±3500 ppm from
10
ms
Frequency Change
center frequency after
setting NewFreq bit
Table 12. Thermal Characteristics
(Typical values TA = 25 oC, V DD = 3.3 V)
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient
Thermal Resistance Junction to Case
Ambient Temperature
Junction Temperature
Symbol
? JA
? JC
T A
T J
Test Condition
Still Air
Still Air
Min
–40
Typ
84.6
38.8
Max
85
125
Unit
°C/W
°C/W
°C
°C
12
Rev. 1.4
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